文献

J-GLOBAL ID：202102215730187733   整理番号：21A0150093

高分子蒸着の挿入により強化された金属ハードマスク開放プロセス窓【JST・京大機械翻訳】

Metal Hard Mask Open Process Window Enhanced by Insertion of Polymer Deposition

著者 (6件)： Sun Li Fei (Lam Research Corporation,Shanghai,China,201210) ,  Wang Qing Peng (Lam Research Corporation,Shanghai,China,201210) ,  Zhang Ji Hong (Lam Research Corporation,Shanghai,China,201210) ,  Sun Lei (Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation (HLIC),Shanghai,China,201206) ,  Li Andrew (Lam Research Corporation,Fremont,CA,USA,94538) ,  Chi Yu Shan (Lam Research Corporation,Shanghai,China,201210)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化チタンエッチング後に残った不十分なBARCは,MHM開放プロセスにおけるCDとプロファイルシフトと残留欠陥問題をもたらす。本研究では,CH_4堆積を利用してBARCを残留し,高分子堆積の挿入のための2つのアプローチをシミュレーションと実験によって系統的に研究した。BARCエッチング前に挿入された堆積ステップは,MHM開放後のBARC残留厚さとプロファイルの改善に効果的であることを示した。SEMulator3D(R)半導体モデリングの「可視堆積」モデルを利用して,これら2つのアプローチの異なる挙動を十分に説明し,パターンの高いARと垂直プロファイルが選択的ポリマー堆積をもたらし,従ってBARC残留改善に寄与することを明らかにした。さらに,プロセス調整ウィンドウも,窒化チタン CDとプロファイル制御のために探索した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  半導体 ,  *高分子 ,  *蒸着
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *ハードマスク ,  *プロセスウィンドウ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  蒸着 ,  強化 ,  ハードマスク ,  プロセス窓