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J-GLOBAL ID：202102216664949133   整理番号：21A0565410

0.1μmAlGaN/GaN HEMTプロセスのための改良QPZD I_ds,GVモデル【JST・京大機械翻訳】

An improved QPZD I_ds, GV model for 0.1μm AlGaN/GaN HEMTs Process

著者 (5件)： Chang Chen (University of Science and Technology of China,School of Microelectronics) ,  Zhu Guiqiang (University of Science and Technology of China,School of Microelectronics) ,  Xu Yuehang (University of Electronic Science and Technology of China,School of Electronic Science and Engineering) ,  Guo Yuqing (University of Science and Technology of China,School of Microelectronics) ,  Lin Fujiang (University of Science and Technology of China,School of Microelectronics)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICTA  ページ： 98-99  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,0.1μmのAlGaN/GaN HEMTプロセスのための改良準物理ゾーン分割(QPZD)I_dsモデルを提示する。0.15μmのAlGaN/GaN HEMTプロセスに基づく元のQPZDモデルと比較して,閾値電圧の短いチャネル効果を考察した。さらに,臨界電場E_cは,経験的式フィッティングよりもむしろ物理的原理に基づいている。回路設計のためのモデルを実行するための解析的E_c(V_gs,T_ch)表現を示した。提示したI_dsモデルは,デバイスの異なるサイズのDCとRF測定に正確に適合できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  回路設計 ,  臨界 ,  チャネル ,  *HEMT
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  プロセス ,  モデル