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J-GLOBAL ID：202102217748710391   整理番号：21A0159327

半無限非対称Al_xGa_1-xAs/GaAs量子井戸の非線形光学特性に及ぼす印加外部場の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of applied external fields on the nonlinear optical properties of a semi-infinite asymmetric Al _x Ga_1-x As/GaAs quantum well

著者 (6件)： Ungan F. (Faculty of Technology, Department of Optical Engineering, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Bahar M.K. (Faculty of Science, Department of Physics, Sivas Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Rodriguez-Magdaleno K.A. (Unidad Academica de Fisica, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Paseo la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac, Mexico) ,  Mora-Ramos M.E. (Centro de Investigacion en Ciencias, Instituto de Investigacion en Ciencias Basicas y Aplicadas, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, CP 62209, Cuernavaca, Morelos, Mexico) ,  Mora-Ramos M.E. (Facultad de Ciencias Basicas, Universidad de Medellin, Medellin, Colombia) ,  Martinez-Orozco J.C. (Unidad Academica de Fisica, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Paseo la Bufa S/N, C.P. 98060, Zacatecas, Zac, Mexico)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 123  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称ポテンシャルプロファイルは半導体デバイスに対する非線形光学特性の観点から大きな関心事である。この記述の理由は,非線形光学特性に関する既存の理論が,関与する遷移の双極子行列要素に明らかに依存し,非対称ポテンシャルプロファイルの完全なキャラクタリゼーションが,半導体デバイス設計者が,可能な範囲の実装を可能にし,双極子マトリックス要素が,ポテンシャルプロファイルの非対称性に強く依存するので,半導体デバイス設計者を可能にするためである。電位プロファイルがうまく定義されれば,操作の望ましい範囲によって,外部因子は,光学特性調整に重要な役割をもたす。特に,この論文では,z方向電場,面内x方向磁場,および最終的に非共鳴強レーザ場効果を受けるとき,Al_xGa_1-xAs/GaAs量子井戸の半無限逆Gauss型プロファイルに対する吸収係数と相対屈折率変化を報告し,Al濃度として電位プロファイルを形作ることができるパラメータである。一般的に,外部因子はTHzスペクトルの範囲である光学特性を調整するための効率的な方法であり,少なくともここで報告されたサブバンド間遷移に対して,著者らは結論を下した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  共鳴 ,  *光学的性質 ,  磁場 ,  電位 ,  電場 ,  半導体素子 ,  正規分布 ,  *アルミニウム ,  *非対称性 ,  スペクトル ,  双極子 ,  *外場 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： 行列要素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非対称Al_xGa_1-xAs/GaAs QW ,  非線形光吸収係数 ,  相対屈折率変化 ,  電場効果 ,  強いレーザ場効果

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 無限 ,  非対称 ,  GaAs ,  量子井戸 ,  非線形光学特性 ,  印加 ,  外部場