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J-GLOBAL ID：202102219137511082   整理番号：21A3384950

水素発生反応増強に向けたNドープカーボンナノシートに埋め込まれたMoS_2/CoS_2ヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

MoS₂/CoS₂ heterostructures embedded in N-doped carbon nanosheets towards enhanced hydrogen evolution reaction

著者 (8件)： Ji Kang (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Matras-Postolek Katarzyna (Faculty of Chemical Engineering and Technology, Cracow University of Technology, Warszawska 24 St., 31-155 Krakow, Poland) ,  Shi Ruixia (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Chen Ling (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Che Quande (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Wang Junpeng (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Yue Yunlong (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China) ,  Yang Ping (School of Material Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 891  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応(HER)のための効率的な電極触媒としての窒素ドープ炭素ナノシート上のMoS_2/CoS_2ヘテロ構造を,前駆体としてゼオライトイミダゾラート骨格-67を使用して調製した。2次元(2D)/2D MoS_2/CoS_2ヘテロ構造は層状CoS_2とMoS_2から成る。CoS_2の(210)ファセットとMoS_2の(002)ファセットは,界面で電子と正孔の移動を改善した。CoS_2/MoS_2の比率は,高性能(CoS_2/MoS_2/NC-n%,例えばn=20,25,30,35wt%)を得るために重要な役割を果たす。一方,試料CoS_2/MoS_2/NC-25%は最良のHER活性を明らかにし,試料が最大の活性部位数および最速電子移動速度を有することを示唆した。さらに,試料CoS_2/MoS_2/NC-25%は,51mVの最低開始電位,10mAcm-2で215mVの最低電位,および80.0mVdec-1の最小Tafel勾配を示した。結果は,優れたHER性能を有するヘテロ構造の構築に利用可能である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  正孔 ,  電位 ,  炭素 ,  活性部位 ,  電極触媒 ,  二次元 ,  前駆体 ,  ファセット ,  *水素発生反応 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  CoS_2 ,  ヘテロ構造 ,  電気化学

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素発生反応 ,  増強 ,  ヘテロ構造