キャリア局在化により支配されたAlリッチAlGaN/AlN量子井戸構造におけるキャリア動力学【JST・京大機械翻訳】

Frankerl Christian; Frankerl Christian; Nippert Felix; Hoffmann Marc Patrick; Brandl Christian; Lugauer Hans-Juergen; Zeisel Roland; Hoffmann Axel; Davies Matthew John

文献

J-GLOBAL ID：202102219602303229 整理番号：21A0038583

キャリア局在化により支配されたAlリッチAlGaN/AlN量子井戸構造におけるキャリア動力学【JST・京大機械翻訳】

Carrier Dynamics in Al-Rich AlGaN/AlN Quantum Well Structures Governed by Carrier Localization

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巻： 257 号： 12 ページ： e2000242 発行年： 2020年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強いキャリア局在化の存在下でのAlリッチAlGaN/AlN量子井戸(QW)構造のキャリア動力学を報告した。低温での励起密度依存光ルミネセンス(PL)測定は,効率ドループの開始と時間積分PLスペクトルの広がりの間に明確な相関を明らかにした。ドループ開始は局所化強度によって強く影響を受けるが,PL発光広がりは発光スペクトルの高エネルギー側にほとんど排他的に観測された。スペクトル分解PL減衰過渡測定は,調べた構造の局在化強度に依存して,局在状態の分布および温度と同様に,スペクトルにわたる発光光子エネルギーに対するキャリア寿命の強い依存性を明らかにした。PL発光エネルギーの特徴的「S」型温度依存性は,局在状態間のキャリアの熱再分布に直接相関することを示した。これらの知見に基づいて,AlGaN QW構造における再結合過程におけるキャリア局在化の役割を強調し,効率ドループに対する含意を考察した。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

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