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J-GLOBAL ID：202102220538918999   整理番号：21A0697696

Ti/HfO₂/Au-ReRAMにおけるRESET時の電圧パルス下抵抗変化挙動へのHfO₂膜の膜質の相違が与える影響

Effect of HfO₂ film property on resistance change behavior under voltage pulses at RESET process of Ti/HfO₂/Au-ReRAM device

著者 (6件)： 森本雅大 (関西大) ,  畠中林太郎 (関西大) ,  依岡拓也 (関西大) ,  清水智弘 (関西大) ,  伊藤健 (関西大) ,  新宮原正三 (関西大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z07-7  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】近年、ニューラルコンピューティング分野にて、ReRAMの人工シナプス素子への応用が注目されている[1-2].ReRAMの人工シナプス素子応用においては、パルス電圧列の印加による連続的な抵抗変化が求められる。今回我々はTi/HfO2/...【本文一部表示】

シソーラス用語： 混合気体 ,  アルゴン ,  X線回折分析 ,  断裂 ,  *酸化ハフニウム ,  反応性スパッタリング ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  *パルス電圧 ,  *ReRAM ,  流量比 ,  酸素欠陥 ,  *抵抗変化 ,  導電性フィラメント ,  ニューロコンピューティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ti ,  HfO2 ,  Au ,  ReRAM ,  電圧パルス ,  抵抗変化 ,  挙動 ,  膜質 ,  相違