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J-GLOBAL ID：202102220668336032   整理番号：21A0299046

埋め込みInGaAs量子ドットを持つGaAs太陽電池における電圧損失理由の研究【JST・京大機械翻訳】

The study of voltage loss reasons in GaAs solar cells with embedded InGaAs quantum dots

著者 (7件)： Salii R A (Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, 194021, St. Petersburg, Russia) ,  Evstropov V V (Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia) ,  Mintairov S A (Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia) ,  Mintairov M A (Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, 194021, St. Petersburg, Russia) ,  Nakhimovich M V (Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia) ,  Shvarts M Z (Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia) ,  Kalyuzhnyy N A (Ioffe Institute, Saint Petersburg, 194021, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1695  号： 1  ページ： 012078 (4pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,その光電特性に及ぼす単一接合GaAs太陽電池(SC)に埋め込まれたIn_0.8Ga_0.2As積層量子ドット(QD)の数の影響を研究した。多くの埋め込みQD層によって異なる一連のGaAs SC構造を有機金属気相エピタキシーを用いて成長させた。得られた構造のエレクトロルミネセンススペクトルと電流-電圧特性を解析することにより,QD層数の増加に伴うQD準位による再結合の増加であるQDによるSCの電圧損失の主な理由を確立した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  再結合 ,  接合 ,  *太陽電池 ,  *電圧 ,  *ヒ化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  スペクトル ,  MOCVD ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 光電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋め込み ,  InGaAs ,  量子ドット ,  GaAs ,  太陽電池 ,  損失 ,  研究