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J-GLOBAL ID：202102220925552785   整理番号：21A0451884

高周波粉末スパッタリングを使用したサファイア(0001)基板上でのSnを組み込んだGa₂O₃薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of Sn-incorporated Ga₂O₃ thin films on sapphire(0001) substrates using radio-frequency powder-sputtering

著者 (2件)： LEE Haram (Chosun Univ., Gwangju, KOR) ,  KANG Hyon Chol (Chosun Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 9  ページ： 095501(6pp)  発行年： 2020年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・本論文では,高周波(RF)粉末スパッタリング法を使用して,サファイア(0001)基板上でのGa₂O₃:Sn薄膜のヘテロエピタキシャル成長を促進する方法を提示。
・SnO₂粉末(3.7at%)をβ-Ga₂O₃粉末と混合して,Ga₂O₃:Sn粉末スパッタリングターゲットとして使用。
・サファイア(0001)基板上に成長させたGa₂O₃:Sn薄膜のエピタキシャル関係と相を調査。
・混合α相とβ相がサファイア(0001)基板上にエピタキシャル成長することを発見。
・エネルギーバンドギャップ(Eg)は,膜厚の増加とともに徐々に減少することも判明。

シソーラス用語： スパッタリング ,  基板 ,  サファイア ,  酸化ガリウム ,  *薄膜 ,  *エピタクシー ,  バンドギャップ ,  *RFスパッタリング ,  酸化スズ
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *エピタキシャル成長 ,  エネルギーバンドギャップ ,  高周波スパッタリング ,  二酸化スズ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高周波 ,  粉末 ,  スパッタリング ,  サファイア ,  Sn ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  成長