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J-GLOBAL ID：202102221308697144   整理番号：21A0224551

イオンビームリソグラフィーにおける有機レジストコントラストの決定【JST・京大機械翻訳】

Organic Resist Contrast Determination in Ion Beam Lithography

著者 (5件)： Shabelnikova Ya. L. (Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia) ,  Zaitsev S. I. (Institute of Microelectronic Technology Problems and High Purity Materials of the Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia) ,  Gusseinov N. (National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan) ,  Gabdullin M. (Kazakh-British Technical University, Almaty, Kazakhstan) ,  Muratov M. M. (National Nanotechnological Laboratory of Open Type (NNLOT), Al-Farabi Kazakh National University, Almaty, Kazakhstan)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 14  ページ： 1854-1857  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビームによる高分子レジストの選択的曝露に基づくリソグラフィーナノ構造の有望なツールの特徴は,非常にコンパクト(約数十ナノメートル)のビーム相互作用体積である。ここでは,ビームエネルギーの主要部分をレジストに堆積し,その改質に費やした。この方法は,この方法に特異的な利点のセット,すなわち,サブ10ナノメートル分解能,非常に高いエネルギー効率,および近接効果の殆ど完全な不在を引き起こす。しかし,吸収されたこの特徴により,レジストに本質的に不均一で,溶解速度は深さに強く依存する。したがって,レジストコントラスト決定の一般的手順をもはや適用できない。本研究では,溶解速度と堆積エネルギー密度の間の関係を考慮したレジストコントラスト決定のための新しい方法を提案し,実現した。30keVのGa+イオンビームで照射されたPMMAレジストを用いて,コントラストの値は3.1であり,イオンエネルギー長は42nmと見積もられた。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. ISSN 1063-7826, Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1854-1857. Copyright Pleiades Publishing, Ltd., 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオンビーム ,  *コントラスト ,  相互作用 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  分解能 ,  溶解速度 ,  エネルギー密度 ,  近接効果 ,  *レジスト ,  *リソグラフィー ,  ナノ構造 ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： 分子レジスト ,  イオンエネルギー ,  *イオンビームリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イオンビームリソグラフィー ,  レジスト ,  コントラスト ,  PMMA

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオンビームリソグラフィー ,  レジスト ,  コントラスト