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J-GLOBAL ID：202102221536105584   整理番号：21A0013222

220nmシリコンフォトニクスプラットフォームに集積したOバンドGeSi量子閉込めStark効果電界吸収変調器【JST・京大機械翻訳】

O-band GeSi quantum-confined Stark effect electro-absorption modulator integrated in a 220nm silicon photonics platform

著者 (10件)： Porret Clement (Imec,Leuven,Belgium) ,  Srinivasan Srinivasan Ashwyn (Imec,Leuven,Belgium) ,  Balakrishnan Sadhishkumar (Imec,Leuven,Belgium) ,  Verheyen Peter (Imec,Leuven,Belgium) ,  Favia Paola (Imec,Leuven,Belgium) ,  Bender Hugo (Imec,Leuven,Belgium) ,  Ong Patrick (Imec,Leuven,Belgium) ,  Loo Roger (Imec,Leuven,Belgium) ,  Van Campenhout Joris (Imec,Leuven,Belgium) ,  Pantouvaki Marianna (Imec,Leuven,Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 220nmのSiフォトニクスプラットフォームに集積した導波路結合量子閉じ込めStark効果(QCSE)電気吸収変調器を報告し,1335~1365nmの波長領域で動作させた。このデバイスは超薄歪緩和バッファ上に成長した歪平衡GeSi量子井戸/障壁スタックに基づいている。スタックは厚さ450nmで,サブミクロンSi導波路への光結合を容易にした。1Vpp駆動電圧に対して40μm長デバイスで8dBまでの消光比を達成し,低電力光相互接続応用に対するこの変調器の可能性を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *変調器 ,  量子井戸 ,  導波路 ,  消光比
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  *EA変調器 ,  光インターコネクション ,  光結合 ,  駆動電圧 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンフォトニクス ,  プラットフォーム ,  集積 ,  バンド ,  量子閉込めStark効果 ,  電界吸収変調器