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J-GLOBAL ID：202102222457079539   整理番号：21A0224544

ZrO_2(Y)ベースメモリスタにおける抵抗スイッチングの共鳴活性化【JST・京大機械翻訳】

Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO₂(Y) Based Memristors

著者 (5件)： Baranova V. N. (Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia) ,  Filatov D. O. (Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia) ,  Antonov D. A. (Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia) ,  Antonov I. N. (Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia) ,  Gorshkov O. N. (Lobachevskii State University of Nizhnii Novgorod, Nizhnii Novgorod, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 14  ページ： 1830-1832  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZrO_2(Y)膜およびZrO_2(Y)/Ta_2O_5二重層スタック上の抵抗スイッチングの比較研究を,重畳高周波正弦波信号による三角形電圧パルスにより報告した。ZrO_2(Y)ベースメムリスタおよびZrO_2(Y)/Ta_2O_5積層ベース1の正弦波信号周波数に対する低抵抗状態および高抵抗における電流差の依存性は,それぞれZrO_2(Y)およびTa_2O_5における交互外部電場による酸素空孔を介した酸素イオンの移動の共鳴活性化に起因した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. ISSN 1063-7826, Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1830-1832. Copyright Pleiades Publishing, Ltd., 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共鳴 ,  畳込み ,  電流 ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  二重層 ,  パルス電圧 ,  *抵抗スイッチング ,  外部電場 ,  酸素空格子点 ,  酸素イオン ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチング ,  メムリスタ ,  安定性 ,  共鳴活性化 ,  イットリア安定化ジルコニア

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： メモリスタ ,  抵抗スイッチング ,  共鳴 ,  活性化