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J-GLOBAL ID:202102222660512023   整理番号:21A0233601

n型およびp型Siの両方に対する有望な表面不動態化アプローチとしての硫化【JST・京大機械翻訳】

Sulfurization as a promising surface passivation approach for both n- and p-type Si
著者 (9件):
資料名:
巻: 2020  号: PVSC  ページ: 1167-1170  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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硫黄は,550°Cで希薄硫化水素ガス(アルゴン中2~6%)中で反応後,n型およびp型Siウエハの両方に対して効果的で有望な表面不動態化元素であることが実証された。n-およびp-型Siウエハに対して,それぞれ,>2msおよび>0.25msの有効少数キャリア寿命を達成し,工業標準熱酸化物および原子層堆積酸化アルミニウム不動態化レベルに匹敵する。x線光電子分光と発光分光法による表面キャラクタリゼーションは,硫黄が主に硫化物環境で結合されていることを明らかにした。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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