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J-GLOBAL ID：202102223014539333   整理番号：21A0013200

高S/Dドーピングと不要チャネルを有する高選択性等方性ドライエッチングによる4スタックGe_0.915Sn_0.085ワイドナノシートの最初の実証【JST・京大機械翻訳】

First Demonstration of 4-Stacked Ge0.915Sn0.085 Wide Nanosheets by Highly Selective Isotropic Dry Etching with High S/D Doping and Undoned Channels

著者 (8件)： Huang Yu-Shiang (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Lu Fang-Liang (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Tu Chien-Te (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Chen Jyun-Yan (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Tsai Chung-En (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Ye Hung-Yu (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Liu Yi-Chun (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan) ,  Liu C. (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University,Taipei,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 寄生Geチャネルのない非ドープ積層GeSnチャネルをラジカルベース高選択的等方性ドライエッチングにより実現した。ヘリウムドープGe犠牲層はS/D抵抗を減少させ,非ドープGeSnチャネルはチャネル移動度を増加させることができた。V_OVV_DS=-0.5Vでのスタック当たりSS=89m V/decとI_ON=42μ1(シート当たり10.5μA)を120nmゲート長と50nm以上の幅を持つ非ドープ4積層12nm厚ナノシートで達成した。エッチング選択性とチャネル均一性は,H202湿式エッチングと比較して,ドライエッチングによって非常に改善された。乾燥エッチングと非ドープチャネルは,高性能の積層した広いナノシートを得るために必須である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  *ゲルマニウム ,  *ドーピング ,  等方性 ,  チャネル ,  *ドライエッチング ,  ウェットエッチング ,  *ナノシート
準シソーラス用語： ゲート長 ,  チャネル移動度 ,  犠牲層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドーピング ,  チャネル ,  高選択性 ,  等方性 ,  ドライエッチング ,  スタック ,  ナノシート ,  実証