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J-GLOBAL ID:202102223252118445   整理番号:21A0444453

スイッチング素子としてのワイドバンドギャップβ-Ga_2O_3パワーMOSFETの組み込みによる高周波DC配電網の安定性強化【JST・京大機械翻訳】

Stability Enhancement of High Frequency DC Distribution Network by Incorporating Wide Bandgap β-Ga2O3 Power MOSFET as Switching Element
著者 (4件):
資料名:
巻: 2020  号: EPEC  ページ: 1-6  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ソフトスイッチングで動作するβ-多形ガリウム酸化物(β-Ga_2O_3)パワーMOSFETと従来の電気機械スイッチを置き換えることにより,多数のフィードバック制御バックコンバータから成る高周波(1.2MHz)DC配電網の安定性増強を提案した。負のインクリメンタルインピーダンスから生じる出力電圧振動と貧弱な全体安定性に関する性能異常を,ミドルブックCriterionの助けでうまく対処した。研究したすべてのワイドバンドGap(WBG)材料の中で,Merit(2844)の最も高いJohnsonの図面を持つと,β-Ga_2O_3が最良の電力-周波数動作を約束する。このシミュレーションでは,出力電圧振動とDC分布ネットワーク損失の全体的安定性に関して,従来のシステム設計ΔΨと比較して実質的な性能改善をもたらし,最小システム効率劣化対最大安定性増強トレードオフに関して解析した。さらに,バックエンドでのフィードバックループ上のコンバータ入力での固体スイッチの優位性を実証し,より高い安定性を持つシステムを確保した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  専用演算制御装置  ,  パターン認識  ,  音声処理  ,  符号理論 

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