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J-GLOBAL ID：202102223685492178   整理番号：21A0182497

エピタキシャル歪下の[数式:原文を参照]の競合強誘電相の安定化【JST・京大機械翻訳】

Stabilization of Competing Ferroelectric Phases of [Formula : see text] under Epitaxial Strain

著者 (9件)： Qi Yubo (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Singh Sobhit (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Lau Claudia (Department of Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  Huang Fei-Ting (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Xu Xianghan (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Walker Frederick J. (Department of Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  Ahn Charles H. (Department of Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  Cheong Sang-Wook (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Rabe Karin M. (Department of Physics & Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 125  号： 25  ページ： 257603  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハフニア([数式:原文を参照])ベースの薄膜は,それらの堅牢な強誘電性とシリコンとの統合により,ナノスケール電子デバイスに有望な用途を有する。[数式:原文を参照]の強誘電相の同定と安定化は,近年,集中的研究興味を引きつけた。本研究では,(111)配向[数式:原文を参照]に関する第一原理計算を用いて,準安定正方晶相に面内剪断歪を課すことが極性相に駆動することを発見した。この面内せん断誘起極性相は,以前に提案した[数式:原文を参照]の準安定強誘電性[数式:原文を参照]相のエピタキシャル歪誘起歪であることを示した。この強誘電性[数式:原文を参照]相は,[数式:原文を参照](STO)(001)基板[[引用文献情報:原文を参照]]上の(111)配向[数式:原文を参照]系薄膜における最近観測された強誘電性を説明することができる。[数式:原文を参照]のこの代替強誘電相の更なる調査は,論理およびメモリデバイスにおける[数式:原文を参照]ベース膜の性能を改善する可能性がある。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  記憶装置 ,  極性 ,  薄膜 ,  ケイ素 ,  強誘電性 ,  正方晶系 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： Hafnia ,  ナノデバイス ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (1件)：

• Nat. Mater. 17, 1095 (2018)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  歪 ,  数式 ,  参照 ,  競合 ,  安定化