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J-GLOBAL ID:202102223700337029   整理番号:21A0325658

ウエハ融合技術により作製した長波長垂直共振器面発光レーザにおける可飽和吸収体の効果【JST・京大機械翻訳】

The Effect of a Saturable Absorber in Long-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated by Wafer Fusion Technology
著者 (22件):
資料名:
巻: 46  号: 12  ページ: 1257-1262  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0665A  ISSN: 1063-7850  CODEN: TPLEED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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15nmの高さ差を有する埋込みトンネル接合(BTJ)を有するヘテロ構造に基づく1.55μm垂直共振器表面発光レーザの研究を行った。素子は,分子線エピタキシーによって成長したヘテロ構造のウエハ融合によって得られ,8μmまでのBTJ直径で単一モードレーザ発振を提供する。BTJサイズの減少は,しきい値電流,出力光パワー,およびレーザ発振閾値での共振周波数の急激な増加をもたらす。安定な単一モードレーザ発振は,埋込み表面レリーフの平滑化境界により生じ,有効電流閉込めをもつ横方向における有効屈折率のプロファイルの漸進的変化を誘起する。これは,大きなBTJサイズでさえ,高次モードに対する横光閉じ込め因子を著しく低減することを可能にする。しかし,小さなBTJサイズでは,それは活性領域の非ポンプ部分に可飽和吸収体の形成をもたらす。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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