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J-GLOBAL ID：202102223783712959   整理番号：21A0151623

垂直スケール電荷トラップ(CT)3D NANDフラッシュメモリにおけるセル変動に及ぼすポリSiチャネルの影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of Poly-Si Channel on Cell Variations in Vertical Scaled Charge-trap (CT) 3D NAND Flash Memory

著者 (4件)： Wang Fei (School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237) ,  Zhan Xuepeng (School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237) ,  Li Yuan (School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237) ,  Chen Jiezhi (School of Information Science and Engineering (ISE), Shandong University,Qingdao,P. R. China,266237)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電荷トラップ3D NANDフラッシュメモリにおけるセル変動に及ぼすポリSi結晶粒分布の影響を調べた。オン電流(I_on),閾値電圧(V_th)およびサブ閾値スイング(S.S.)の統計的分布をランダム粒子分布を有するデバイスから抽出した。3D TCADシミュレーションは,より少ないGBsを有するより大きい粒径がより良い電池性能を達成するために重要であることを示した。さらに,セル領域における結晶粒界は変動を拡大でき,それは垂直スケーリングでさらに深刻である。より重要なことに,V_thはOn-Off電流比とS.S.値の良好な指標を表し,3D NANDチップベースメモリシステムの信頼性を改善するために冗長性設計に利用できることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  シミュレーション ,  電流 ,  冗長性 ,  信頼性 ,  結晶粒 ,  *三次元 ,  *フラッシュメモリ ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  TCAD ,  *電荷捕獲 ,  *NAND ,  粒子分布 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 垂直 ,  スケール ,  電荷トラップ ,  CT ,  3D ,  NANDフラッシュメモリ ,  セル ,  ポリSi ,  チャネル