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J-GLOBAL ID：202102225568604230   整理番号：21A0184921

ナノスケール要素の信頼性理論における物理的および情報エントロピーの相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation of Physical and Information Entropies in Reliability Theory for Nanoscale Elements

著者 (5件)： Kozhevnikov V. S. (Molecular Electronics Research Institute, Moscow, Russia) ,  Matyushkin I. V. (Institute for Design Problems in Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Matyushkin I. V. (National Research University of Electronic Technology (MIET), Moscow, Russia) ,  Chernyaev N. V. (Molecular Electronics Research Institute, Moscow, Russia) ,  Zhukova T. D. (Institute for Design Problems in Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 13  ページ： 1805-1810  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子部品のためのベースとして用いられる最新のナノ構造とナノ材料は,高度の不均一性と非平衡によって特性化される。熱,電気,および他の効果の下での装置の運転の間,その特性は物理的および化学的プロセスの結果として劣化する。自律操作の条件の下でのナノデバイスの故障耐性と故障フリー操作を提供する作業は,非常に緊急であり,信頼性の理論における数学的装置の重要な開発を必要とする。ナノデバイスの信頼性の問題に対する物理的-統計的手法,特に,非常に大規模な統合(VLSI)フラグメントから成分ベースレベルへの,を考察した。このアプローチの基本方程式を解くためのより正確な定式化を与えた。一次元定常状態の場合の求積の解を得た。故障の物理の従来のアプローチに対するナノデバイスに対する提案した方法の最も顕著な利点を正当化した。同時に,物理的統計手法の形式性と古典的Boltzmann-Arrhenius-Zhurkov(BAZ)モデルによる最新のナノデバイス試験の仕様の間の類似性を示した。それらの特性の空間における製品の分布関数の動力学に基づいて,信頼性関数と情報エントロピーの進化の両方を得ることができることを示した。そのような分布(試験に基づく)の情報エントロピーとナノデバイスの物理的エントロピーの間の関係に関する仮説の弱いおよび強い側面を議論した。信頼性理論における提案した手法は,劣化メカニズムの特定と信頼性関数を用いた統計的アプローチに基づく物理的手法の利点を結合した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エントロピー ,  分布関数 ,  故障 ,  *信頼性 ,  電子部品 ,  非平衡状態 ,  化学プロセス ,  統計的方法 ,  一次元 ,  超LSI ,  定式化 ,  フォールトトレランス ,  ナノ材料
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 劣化 ,  信頼性 ,  ナノシステム ,  物理的統計的アプローチ ,  エントロピー ,  連続性方程式

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  要素 ,  信頼性理論 ,  物理 ,  情報エントロピー ,  相関