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J-GLOBAL ID：202102225674395917   整理番号：21A0233392

InGaP/GaAs二重ヘテロ接合裏面接触太陽電池のためのバイアホールエッチング【JST・京大機械翻訳】

Via-hole etching for InGaP/GaAs double heterojunction backside contact solar cells

著者 (7件)： Yoo Ji-Seon (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea) ,  Kim Ye-Chan (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea) ,  Kim Sung-Tae (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea) ,  Kang Ho-Kwan (Korea Advanced Nano fab Center,Suwon-Si,Republic of Korea) ,  Jung Sang-Hyun (Korea Advanced Nano fab Center,Suwon-Si,Republic of Korea) ,  Jeong Ho-Jung (Lighting Materials and Components Research Center, Korea Photonics Technology Institute,Gwangju,Republic of Korea) ,  Jang Jae-Hyung (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology,Gwangju,Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 0284-0287  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背面接触技術は,金属電極に起因する反射率を最小化することにより,太陽電池の効率を高めるために採用されている。Via-正孔エッチングは逆InGaP/GaAs二重ヘテロ接合太陽電池における背面接触を実現するための重要なプロセスの一つである。バイアホールは3段階ドライエッチングプロセスを用いて作製した。それは,BCl_3/Cl_2,CH_4/H_2およびCH_4/H_2/Arの3つの異なるプラズマ化学を含み,バイアホールの滑らかでテーパの側壁プロファイルを達成した。誘電体絶縁層をエッチングした穴上に堆積後,前面のオーム接触層に達する金属接触を堆積することに成功した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  正孔 ,  *太陽電池 ,  反射率 ,  誘電体 ,  *ヒ化ガリウム ,  Ohm接触 ,  *バイアホール
準シソーラス用語： 金属電極 ,  絶縁層 ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  *二重ヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaP ,  GaAs ,  二重ヘテロ接合 ,  裏面接触 ,  太陽電池