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J-GLOBAL ID：202102226272748653   整理番号：21A0781176

分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振-GaAs系バイセクションレーザによるパルス発生を目指して-

Room-temperature Pulsed-operation of GaAs-based Semiconductor Laser Diodes Grown by MBE-Toward the realization of GaAs-based ultra-short pulsed laser diodes-

著者 (10件)： 宮嶋孝夫 (名城大 理工) ,  荒川亮太 (名城大 理工) ,  石川裕介 (名城大 理工) ,  神林大介 (名城大 理工) ,  森田悠斗 (名城大 理工) ,  森本晃平 (名城大 理工) ,  宇野光輝 (名城大 理工) ,  下原光貴 (名城大 理工) ,  今井大地 (名城大 理工) ,  成塚重弥 (名城大 理工)
資料名： 名城大学総合研究所紀要  (Bulletin of Research Institute of Meijo University)
号： 25  ページ： 17-19  発行年： 2020年03月31日 
JST資料番号： L6402A  ISSN： 1344-8099  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・バイオイメージング技術では,小型化,低消費電力が必要な,800nm以上の波長を持つ超短パルス半導体レーザが必要されるていて,MBE成長によるGaAs系半導体レーザを検討。
・(100)GaAs基板上にGaAs/Al_0.2Ga_0.8Asの三重量子井戸を活性層とするヘテロ構造を作製し,活性層のTEモードの光強度が最大にな分離閉じ込めるように設計。
・薄膜成長後,P型オーミック電極,n型オーミック電極を形成させ,GaAs基板の薄膜化,へき開によりGaAs[0-1-1]方向に,長さ600mmの共振器形成。
・室温でパルス幅5.0μs.Duty比0.5%,繰り返し周波数1Hzのパルス電流注入を行い,電流-電圧特性,電流-光出力特性,光スペクトルを測定し,I=445mA以上でレーザ発振を確認。
・閾値電流密度をJ_th=37.1kA/cm²を推定したが,論文での報告値より大きく,オーミック電極のコンタクト比抵抗が十分低くないと推定,光の半値幅は注入電流密度の上昇で狭化することを確認。

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *MBE成長 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  半導体薄膜 ,  *多重量子井戸 ,  設計 ,  *パルスレーザ ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  *レーザ発振 ,  閾値 ,  電極 ,  基板 ,  特性 ,  *赤外レーザ
準シソーラス用語： オーミック電極 ,  デバイス設計 ,  バイセクション構造 ,  パルス電流 ,  素子特性 ,  電流-光出力特性

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線エピタキシー法 ,  成長 ,  GaAs ,  半導体レーザ ,  室温 ,  パルス発振 ,  パルス発生