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J-GLOBAL ID：202102227290662497   整理番号：21A0133669

p-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池の性能に及ぼすITO電極のスパッタリング圧力と基板温度の影響

Effects of sputtering pressure and temperature of ITO electrodes on the performance of p-BaSi₂/n-Si heterojunction solar cells

著者 (4件)： SUGIYAMA Ryota (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMASHITA Yudai (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SF  ページ： SFFA07.1-SFFA07.5  発行年： 2020年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・RFマグネトロンスパッタリングによりSi基板上に成膜されたITO膜の特性に及ぼす成膜圧力Pと基板温度T_Sの影響を調査。
・RFマグネトロンスパッタリングを用いて,フロートゾーン(FZ)n-Si(111)基板(抵抗率ρ>1000Ωcm)上にITO膜を成膜。
・RTでスパッタリングしたSi基板上のITO層の電気伝導率σは,P=1.0Paで3.7×10³Scm^-1までPの増加とともに増加,またT_Sの増加とともに増加し,T_S=370°C,P=1.0Paで最大1.6×10⁴Scm^-1に到達。
・ITO層の透過率スペクトルもPとT_Sに大きく依存。
・p-BaSi₂(20nm)/n-Si(111)(ρ= 1-4Ωcm)ヘテロ接合太陽電池の性能に及ぼすITO層のスパッタリング中のPとT_Sの影響を調査。
・その結果,上述した最適なT_SとPは,p-BaSi₂/n-Si太陽電池には適していないことが判明し,P=1.0Pa,T_S=RT,90°Cでエネルギー変換効率ηが最大(η=6.6%)。
・DLTS測定の結果,ITO層をT_S=230°C,P=1.0Paでスパッタリングすると,p-BaSi₂膜には伝導帯の最小値より0.16eV低い位置に電子トラップが発生していることが判明。

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *太陽電池 ,  *電極 ,  *圧力 ,  *基板温度 ,  電気伝導率 ,  スペクトル ,  エネルギー変換効率 ,  深準位過渡分光法 ,  電子 ,  捕獲
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *ITO電極 ,  光透過スペクトル ,  DLTS ,  電子トラップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合太陽電池 ,  ITO電極 ,  スパッタリング圧力 ,  基板温度