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J-GLOBAL ID：202102227463018294   整理番号：21A0984885

NVM応用のための結晶性In-Ga-Zn酸化物FETにおけるHfO_xを用いた水素吸収法【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen Absorption Method Using HfOx in Crystalline In-Ga-Zn Oxide FETs for NVM Applications

著者 (12件)： Ono T. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Yanagisawa Y. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Komatsu Y. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Aoki T. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Jimbo Y. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Ito S. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Yamane Y. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Okuno N. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Kunitake H. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Komagata H. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Sasagawa S. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan) ,  Yamazaki S. (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 39.4.1-39.4.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ(NVM)におけるOSFETの有用性を調べるために,c軸配向結晶In-Ga-Zn酸化物(CAAC-IGZO)のチャネルを有する酸化物半導体電界効果トランジスタ(OSFET)を作製し,評価した。OSFETの極めて低い漏れ電流は,閾値電圧に大きく依存し,従って,閾値を制御するのは重要な問題である。特に,CAAC-IGZO層のまわりと周辺の水素濃度の低減は,OSFETにおける閾値制御性と安定性改善をもたらす最も重要な因子の1つである。従って,全OSFETが水素障壁膜(SiN_x)でシールされ,外部から水素侵入を防ぎ,カプセル化構造内の水素吸収層として機能する修飾HfO_x膜を提供する構造を採用した。カプセル化構造内に高い水素吸収能を持つHfO_x膜はOSFET信頼性の顕著な改善をもたらした。特に,43.9nmのゲート長を有するプロトタイプOSFETは,正のゲートバイアス温度(+GBT)応力試験(150°C,V_gs=3.63V,V_ds=V_bgs=0V)において,500時間に対して閾値変動を抑制した。このプロセスは,CAAC-IGZO層中の水素濃度の制御を可能にし,OSFET大量生産の期待を増加させる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  大量生産 ,  可制御性 ,  *酸化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  *結晶度 ,  漏れ電流 ,  *水素吸蔵 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： ゲート長 ,  閾値電圧 ,  酸化物半導体 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  水素濃度 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  結晶性 ,  Ga ,  Zn酸化物 ,  FET ,  水素吸収