文献

J-GLOBAL ID：202102227492335360   整理番号：21A0986021

高出力窒化ガリウムベーステラヘルツGunnダイオードの作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of high power Gallium Nitride based terahertz Gunn diodes

著者 (5件)： Hajo Ahid S. (Technical University of Darmstadt, Institute for Microwave Engineering and Photonics (IMP),Department of Electrical Engineering and Information Technology,Germany) ,  Yilmazoglu Oktay (Technical University of Darmstadt, Institute for Microwave Engineering and Photonics (IMP),Department of Electrical Engineering and Information Technology,Germany) ,  Dadgar Armin (Otto von Guericke University Magdeburg, Institute of Physics, Faculty of Natural Sciences,Germany) ,  Kuppers Franko (Technical University of Darmstadt, Institute for Microwave Engineering and Photonics (IMP),Department of Electrical Engineering and Information Technology,Germany) ,  Kusserow Thomas (Technical University of Darmstadt, Institute for Microwave Engineering and Photonics (IMP),Department of Electrical Engineering and Information Technology,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,サイドコンタクトとフィールドプレート技術によるGallium Nitride(GaN)に基づくTHz Gunn源の製作と特性評価を報告する。この源は,良好な不動態化層とGaN基板への良好なヒートシンクのために,20Vまでの動作電圧で安定する。GaNベースのGunnダイオードは0.9Aの比較的高い順方向電流とより高い周波数と出力電力に対して約50mAの高い電流降下を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  不動態化 ,  *Gunnダイオード ,  ヒートシンク ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  高出力 ,  出力電力 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高出力 ,  窒化ガリウム ,  テラヘルツ ,  Gunnダイオード ,  作製 ,  特性評価