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J-GLOBAL ID：202102228154669595   整理番号：21A0986045

0.13μm SiGe技術におけるオンチップ導波路と集積化した0.26THzパワーユニット【JST・京大機械翻訳】

A 0.26 THz Power Unit Integrated with an on-Chip Waveguide in a $0. 13 ¥mu ¥mathrm{m}$ SiGe Technology

著者 (3件)： Gao Hao (Silicon Austria Labs,Linz,Austria) ,  Chen Jixin (State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China) ,  Hong Wei (State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University,Nanjing,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IRMMW-THz  ページ： 01-02  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この寄与は,サブTHz電力結合器としてシリコン集積導波路を用いた0.13μmSiGe BiCMOS技術における0.26THzパワーユニットを示した。このサブミリ波周波数パワーユニットは,2段0.13THz増幅器アレイ,1段周波数二重器,オンチップシリコン集積導波路パワーコンバインからなる。本研究では,オンチップ導波路電力結合器によりコンパクトなパワーユニットを達成した。このコンパクトな解で,このパワーユニットのコア部分の面積は200×900μm2であり,0.26THzの出力電力は-15dBmである。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 増幅器 ,  ケイ素 ,  サブミリ波 ,  パワーユニット ,  *導波路 ,  BiCMOS
準シソーラス用語： *オンチップ ,  *シリコンゲルマニウム ,  出力電力 ,  電力結合器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  符号理論  (ND02030R) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  オンチップ ,  導波路 ,  集積化 ,  パワーユニット