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J-GLOBAL ID：202102228513418907   整理番号：21A0984293

水平,積層または垂直シリコンナノワイヤ:低周波雑音の観点からの問題か?【JST・京大機械翻訳】

Horizontal, Stacked or Vertical Silicon Nanowires: Does it Matter from a Low-Frequency Noise Perspective?

著者 (9件)： Simoen Eddy (Imec,euven,Belgium,B-3001) ,  de Oliveira Alberto Vinicius (UTFPR, Campus Toledo,Parana ́,Brazil) ,  Der Agopian Paula Ghedini (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil) ,  Ritzenthaler Romain (Imec,euven,Belgium,B-3001) ,  Mertens Hans (Imec,euven,Belgium,B-3001) ,  Horiguchi Naoto (Imec,euven,Belgium,B-3001) ,  Martino Joao Antonio (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo,Sao Paulo,Brazil) ,  Claeys Cor (KU Leuven,EE Depart.,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Veloso Anabela (Imec,euven,Belgium,B-3001)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンゲート-All-Aラウンドナノワイヤ(NW)(またはナノシート-NS)トランジスタの異なるフレーバの低周波雑音性能をレビューした。水平デバイスでは,1/f様雑音は数変動機構によって支配され,パワースペクトル密度(PSD)はゲートスタックのトラップ密度と直接比例する。異なるプロセスオプションとデバイスアーキテクチャ(接合無し対反転モード)の影響を論じた。全体として,平均1/f雑音PSDは,シリコンオンインシュレータ基板上の単一NWトランジスタから,積層水平NSデバイスと,最終的には垂直NWFETに低下することが分かった。後者の場合,白色雑音は低周波雑音スペクトルを支配する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音 ,  接合 ,  トランジスタ ,  白色雑音 ,  *低周波雑音 ,  1/f雑音 ,  *LF【周波数】 ,  パワースペクトル密度 ,  ナノシート
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  雑音スペクトル ,  ナノワイヤトランジスタ ,  *シリコンナノワイヤ ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  シリコンナノワイヤ ,  低周波雑音 ,  観点