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J-GLOBAL ID：202102228763216920   整理番号：21A1288639

X線ナノリソグラフィー用の軟X線源システムにおける透過型ターゲットによるアノード膜の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of an Anode Membrane with a Transmission-Type Target in a System of Soft X-Ray Sources for X-Ray Nanolithography

著者 (5件)： Glagolev P. Yu. (National Research University of Electronic Technologies, Moscow, Russia) ,  Demin G. D. (National Research University of Electronic Technologies, Moscow, Russia) ,  Oreshkin G. I. (National Research University of Electronic Technologies, Moscow, Russia) ,  Chkhalo N. I. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Djuzhev N. A. (National Research University of Electronic Technologies, Moscow, Russia)
資料名： Technical Physics  (Technical Physics)
巻： 65  号： 11  ページ： 1709-1716  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0952A  ISSN： 1063-7842  CODEN： TEPHEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,X線ナノリソグラフィーの分野でのタスクを実行するための電界放出トリードに基づくソフトX線源のシステムの一部として,透過型ターゲットを有するアノード膜の設計および組成を最適化する方法を提案した。アノードの著しい静電変形がトリodesの電極間空間における制御電場の影響下で起こるとき,システムの動作特性の劣化を防ぐことができる。この目的のために,システム設計における付加的制御電極の包含を考慮して,アノード膜の変形を許容レベルまで補償し,それによってX線源の運転を安定化した。補償電極を有するアノード膜の最適組成と幾何学的パラメータを決定する,改良設計におけるアノードアセンブリの静電たわみの数値モデルを開発した。特に,初期(生成)状態および補償電極におけるアノード膜間の最適距離(5μmに等しい)を見出し,最小電圧差(約1.15kV)をこれらの電極に適用し,膜の臨界たわみ(膜半径750μmで0.72μm)を防いだ。また,それらの非常に高い硬度(>80GPa)により,ダイヤモンド状膜がアノード電極に対して最も有望な材料であることを示した。得られた結果は,種々の応用のための小型X線生成デバイスの開発にも有用である。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *最適化 ,  電場 ,  電界放出 ,  *軟X線 ,  ダイヤモンド ,  システム設計 ,  たわみ ,  *X線源 ,  臨界 ,  許容量 ,  硬度 ,  *アノード
準シソーラス用語： *ナノリソグラフィー ,  数値モデル ,  幾何学的パラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F) ,  線源,照射装置  (MC01020V) ,  X線技術  (BA02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線 ,  ナノリソグラフィー ,  軟X線 ,  透過 ,  ターゲット ,  アノード ,  最適化