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J-GLOBAL ID：202102229450567884   整理番号：21A0151595

シリコン無接合ナノワイヤトランジスタにおける電流振動領域の低温電場依存移動度【JST・京大機械翻訳】

Low temperature electric field dependent mobility of the current oscillation regime in silicon junctionless nanowire transistor

著者 (5件)： Yang Chong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Han Wei-Hua (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Chen Jun-Dong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Zhang Xiao-Di (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049) ,  Guo Yang-Yan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100049)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温で電場を変えてシリコン接合無しナノワイヤトランジスタの移動特性における電流振動領域の電子移動度を調べた。移動度は30K-75Kでの電場の強化により徐々に減少し,イオン化ドーパント原子のより低いCoulomb障壁がイオン化不純物濃度を改善する。さらに,移動度に及ぼす電場の影響は,温度変化によって低下した。本研究は,電場と熱活性化に依存するイオン化エネルギーが不純物イオン化と電子移動度への影響の電荷であることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  イオン化ポテンシャル ,  *移動度 ,  接合 ,  *低温 ,  *電場 ,  Coulomb障壁 ,  温度変動 ,  ドーパント ,  不純物濃度
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  熱活性化 ,  *ナノワイヤトランジスタ ,  *電流振動 ,  不純物イオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ナノワイヤトランジスタ ,  電流振動 ,  低温 ,  電場 ,  移動度