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J-GLOBAL ID：202102229578098480   整理番号：21A0005299

高出力応用のためのマルチゲートMOSFETのコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】

Compact Modeling of Multi-Gate MOSFETs for High-Power Applications

著者 (7件)： Herrera F. Avila (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Hirano Y. (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Miura-Mattausch M. (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Iizuka T. (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Kikuchihara H. (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Mattausch H. J. (HiSIM Research Center, Hiroshima University Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Ito A. (Broadcom Inc., Irvine, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 8  ページ： 1381-1389  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンパクトなマルチゲートMOSFETモデルを高電圧応用のために開発した。モデルは,高抵抗ドレイン接触を有する薄膜MOSFETに特有な短チャネル効果を含む。短チャネル効果はドレイン抵抗効果によって劇的に減少し,これはデバイスに沿った全電位分布を考慮することによって一貫してモデル化される。重なり長さは重要なデバイスパラメータであり,一般に高電圧MOSFETのデバイス特性に影響を及ぼす。関連する効果のモデリングは,適用した完全な電位分布記述に基づいて,報告されたコンパクトな高電圧マルチゲートMOSFETモデルに対して自己無撞着に実現される。特に,静電容量応答の特定の特徴を捕捉するためのモデリング要求を詳細に調査した。さらに,開発したモデルは,マルチゲートMOSFET生成の開発中のデバイスサイズ要求を制限するために適用可能であることを実証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *MOSFET ,  静電容量 ,  電位分布 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  *MuGFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高出力 ,  応用 ,  マルチゲートMOSFET ,  コンパクトモデリング