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J-GLOBAL ID：202102230191886787   整理番号：21A0150067

O_2/BCL_3ディジタルエッチ後の窒化ガリウム膜のXPS分析【JST・京大機械翻訳】

XPS Analysis of Gallium Nitride Film After O2/BCL3 Digital Etch

著者 (9件)： Tang Jiale (School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University,Xuzhou,China) ,  Hu Yongjie (School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University,Xuzhou,China) ,  Zhang Yudong (School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University,Xuzhou,China) ,  Gu Zhiqiang (Leuven Instruments Co. Ltd (Jiangsu),Xuzhou,China) ,  Che Dongchen (Leuven Instruments Co. Ltd (Jiangsu),Xuzhou,China) ,  Hu Dongdong (Leuven Instruments Co. Ltd (Jiangsu),Xuzhou,China) ,  Chen Lu (Leuven Instruments Co. Ltd (Jiangsu),Xuzhou,China) ,  Xu Kaidong (Leuven Instruments Co. Ltd (Jiangsu),Xuzhou,China) ,  Zhuang Shiwei (School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University,Xuzhou,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一段階の改質ガスとしての酸素,エッチングステップのための三塩化ホウ素を用いて,サファイアから20サイクルの間,GaNを順次除去した。各サイクルのエッチング深さによる酸化とエッチングパラメータ間の関係を調べた。サイクル当たり9秒のエッチング時間に対して,エッチング速度は,酸化時間を0から20秒に増加させると,0.39から1.04nm/サイクルに増加し,自己制限酸化を示すより高い酸化時間によってかなり一定のままであった。ICP酸化後のX線光電子分光法により,GaNの表面化学を調べた。異なる酸化時間と可能な機構を有するGaN膜上の酸素化学吸着の包括的な分析を議論した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  化学吸着 ,  酸化 ,  酸素 ,  塩化ホウ素 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  *X線光電子分光法 ,  界面化学
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  改質ガス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディジタル ,  エッチ ,  窒化ガリウム ,  XPS分析