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J-GLOBAL ID：202102230380551977   整理番号：21A0176054

深準位過渡分光法を用いた炉アニーリングまたはレーザアニーリングにより活性化されたアノードを有するシリコンダイオードの漏れ電流解析【JST・京大機械翻訳】

Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy

著者 (4件)： Wakimoto Hiroki (Fuji Electric Co., Ltd., 4-18-1, Tsukama, Matsumoto, Nagano 390-0821, Japan) ,  Matsumoto Takashi (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Yano Koji (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Muranaka Tsutomu (University of Yamanashi, 4-3-11, Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 12  ページ： 125301-125301-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アノード-位置ホウ素原子にp+領域を持つシリコンP-i-Nダイオードを注入し,比較的低温炉アニーリング(FA)または高温レーザアニーリング(LA)で活性化し,FAとLAを用いて活性化したダイオード試料の漏れ電流間に大きな差を示した。本論文では,漏れ電流の違いの原因を明らかにするために,発生電流と拡散電流を検証した。発生電流を推定するために,トラップ準位を,0μm-37μmの空乏領域幅に対応する+0.3Vから-160Vの広いバイアス範囲で,深準位過渡分光法(DLTS)によって分析し,トラップ密度深さプロファイルをDLTSを用いて分析した。DLTS分析は,トラップ密度がFA試料で比較的均一であることを示した。しかし,LA試料はアノードのp+領域近くの低いトラップ密度を有した。ダイオードの漏れ電流を,発生と拡散電流を含む漏れ電流モデルに基づくトラップ密度プロファイルを用いて計算した。計算と測定した漏れ電流を比較し,トラップ密度と漏れ電流の間の関係を調べた。計算した漏れ電流の逆バイアス依存性はLA試料の測定値と一致し,DLTSにより得られたn-基板中のトラップ密度が測定漏れ電流を良く説明できることを意味した。FA試料では,測定した漏れ電流は,高い逆バイアス領域における計算値より大きかった。これは,低い活性化温度のため,FA試料のアノードのp+領域に大量の不活性化ホウ素が存在することを示唆する。不活性化ホウ素の一部だけが,発生漏れ電流を増加させる深いエネルギー準位トラップを形成すると考えられる。P-i-Nダイオードの漏れ電流を減らすために,アノードp+領域におけるホウ素の活性化速度を増加させるのは効果的である。コレクタ側に内蔵したP-i-Nダイオードを有する逆ブロッキング絶縁ゲートバイポーラトランジスタにLA法を適用することにより,逆漏れ電流を低減でき,動作温度を改良できた。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  高温 ,  *焼なまし ,  *ダイオード ,  低温 ,  *電流 ,  *ケイ素 ,  ホウ素 ,  *漏れ電流 ,  ブロッキング ,  *レーザアニーリング ,  *深準位過渡分光法 ,  *アノード
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 深準位過渡分光法 ,  炉 ,  アニーリング ,  レーザアニーリング ,  活性化 ,  アノード ,  漏れ電流 ,  解析