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J-GLOBAL ID：202102230561460777   整理番号：21A0013199

メモリ動作中の自発分極とトラップ電荷の直接抽出に基づくHfO_2FeFETにおけるV_th窓と信頼性の再検討【JST・京大機械翻訳】

Re-examination of Vth Window and Reliability in HfO2 FeFET Based on the Direct Extraction of Spontaneous Polarization and Trap Charge during Memory Operation

著者 (13件)： Ichihara Reika (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Suzuki Kunifumi (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Kusai Haruka (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Ariyoshi Keiko (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Akari Keisuke (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Takano Keisuke (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Matsuo Kazuhiro (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Kamiya Yuta (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Takahashi Kota (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Miyazawa Hidenori (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Kamimuta Yuuichi (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Sakuma Kiwamu (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan) ,  Saitoh Masumi (Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation,Kawasaki,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリ動作中のFeFETの1回電流測定により,自発分極(P_s)と界面トラップ電荷(Q_t)の両方を抽出する新しい技術を用いて,メモリ窓(MW)の支配的因子とHfO_2 FeFETの信頼性を再調査した。FeFET特性は,プログラミング直後にV_th不安定性を引き起こす不安定なQ_t(強誘電体に無関係)によって強く影響され,P_sによって発生する大部分の電気(E)場を補償する安定なQ_1を,強く受けている。安定なQ_tは,一定の比(~90%)でP_sに結合され,MWを抗電圧(V_c)限界よりはるかに低い値まで減少させる。従来のモデルとは異なり,P_sの増加および安定化は,MWおよび保持を改善するのに,それぞれ有効である。サイクリングの間,MWはΔP_s還元によって劣化し,また,界面SiO_2による電荷注入/排除を抑制することによって緩和できる補償比(ΔQ_t/ΔP_s)の増加を劣化させる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *記憶装置 ,  強誘電体 ,  電圧 ,  *信頼性 ,  不安定性 ,  キャリア注入 ,  *自発分極 ,  電流測定
準シソーラス用語： 再調査 ,  *FeFET ,  *捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 自発分極 ,  トラップ電荷 ,  窓