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J-GLOBAL ID：202102231012935444   整理番号：21A0876267

誘導結合CHF_3/Arプラズマにおける懸濁プラズマ溶射により蒸着したYOF被覆のプラズマエッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Plasma Etching Behavior of YOF Coating Deposited by Suspension Plasma Spraying in Inductively Coupled CHF3/Ar Plasma

著者 (4件)： Lee Seungjun ,  Lee Jaehoo ,  Kim Woongsik ,  Hwang Nong-Moon
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 10  号： 11  ページ： 1023  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度イットリウムオキシフッ化物(YOF)コーティングを,同軸供給による懸濁プラズマ溶射(SPS)によって首尾よく堆積させた。105kWのプラズマパワーで6分間の堆積の後,YOFコーティングの厚みは,0.15%0.01%の多孔性で553.2mであり,そして,コーティング率は,Δλ9.2m/minであった。三方晶YOFの結晶構造をX線回折(XRD)により確認した。YOF被覆のエッチング挙動を,Al_2O_3バルクおよびY_2O_3被覆と比較して,誘導結合プラズマCHF_3/Arプラズマを用いて研究した。Al_2O_3バルクとY_2O_3被覆の全表面上にクレーター様エロージョンサイトと空洞が形成された。対照的に,YOFコーティングの表面はCHF3/Arプラズマへの曝露前後で顕著な差を示さなかった。フルオロカーボンプラズマに対するYOF被覆のこのような高い抵抗は,表面上の強いフッ素化層から来る。材料の表面上のフッ素化をX線光電子スペクトル分析(XPS)により確認した。XPSによるAl_2O_3,Y_2O_3,およびYOFサンプルの組成の深さプロファイルは,YOFコーティングのフッ素化層がAl_2O_3とY_2O_3のものよりはるかに厚いことを明らかにした。これらの結果は,半導体プロセスチャンバの内壁がSPSを用いてYOFによって被覆されるならば,汚染粒子の生成がフルオロカーボンプラズマエッチング過程で最小化されるであろうことを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エッチング ,  *懸濁液 ,  *プラズマ ,  *被覆 ,  *プラズマ溶射 ,  X線回折分析 ,  フッ素化 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  X線光電子スペクトル ,  三方晶系 ,  クレータ ,  *プラズマエッチング ,  半導体プロセス ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： オキシフッ化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フルオロカーボンプラズマ ,  エッチング ,  イットリウムオキシフッ化物(YOF) ,  プラズマ抵抗材料 ,  懸濁プラズマ溶射(SPS) ,  X線光電子スペクトル(XPS)

分類 (1件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

引用文献 (27件)：

• Kim, D.-M.; Oh, Y.-S.; Kim, S.; Kim, H.-T.; Lim, D.-S.; Lee, S.-M. The erosion behaviors of Y2O3 and YF3 coatings under fluorocarbon plasma. Thin Solid Film. 2011, 519, 6698-6702.
• Doemling, M.; Rueger, N.; Oehrlein, G.; Cook, J. Photoresist erosion studied in an inductively coupled plasma reactor employing CHF3. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct. Process. Meas. Phenom. 1998, 16, 1998-2005.
• Ito, N.; Moriya, T.; Uesugi, F.; Matsumoto, M.; Liu, S.; Kitayama, Y. Reduction of particle contamination in plasma-etching equipment by dehydration of chamber wall. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 3630.
• Fukumoto, H.; Fujikake, I.; Takao, Y.; Eriguchi, K.; Ono, K. Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled CF4 plasma etching of SiO2. Plasma Sources Sci. Technol. 2009, 18, 045027.
• Blain, M.; Tipton, G.; Holber, W.; Selwyn, G.; Westerfield, P.; Maxwell, K. Particle behaviour in an electron cyclotron resonance plasma etch tool. Plasma Sources Sci. Technol. 1994, 3, 325.

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘導結合 ,  Ar ,  プラズマ ,  懸濁 ,  プラズマ溶射 ,  蒸着 ,  プラズマエッチング ,  挙動