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J-GLOBAL ID：202102231145856743   整理番号：21A0151695

Schottky障壁変調CVD Mos_2トランジスタに基づく光刺激人工シナプス【JST・京大機械翻訳】

Light-stimulated artificial synapse based on Schottky barrier modulated CVD Mos2 transistors

著者 (2件)： Hu Qianlan (Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074) ,  Wu Yanqing (Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,China,430074)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に並列でエネルギー効率の良いニューロモルフィックコンピューティングは,メモリとプロセッサを物理的に分離するvon Neumannアーキテクチャを課した通常の制約のない将来の超低電力エレクトロニクスに対する高い可能性を示す。二次元材料は,不均一集積能力をもつ高効率オプトエレクトロニクスのユニークな利点を提供する。大面積化学蒸着単層Mos2は,オプトエレクトロニクス応用において大きな可能性を示し,その神経形態機能はまだ調査されていない。ここでは,Schottky障壁変調により可能になったCVD単層Mos2に基づく光刺激シナプストランジスタを実証した。SiO_2基板上に直接成長した単結晶Mos_2膜の固有移動度は11.07cm2/V_sであり,作製したデバイスはUV光曝露下で明らかな光応答を示した。ゼロゲートバイアス下のシナプストランジスタは,興奮性シナプス後電流,長期可塑性変換に対する短期可塑性および対パルス促進を含む多用途光刺激シナプス神経形態機能を模倣する。さらに,シナプス特性はバックゲートバイアス電圧により効果的に変調され,光刺激神経形態学的応用に大きな可能性を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  移動度 ,  塑性 ,  記憶装置 ,  紫外線 ,  単結晶 ,  *トランジスタ ,  *シナプス ,  *光刺激 ,  パルス ,  オプトエレクトロニクス ,  化学蒸着 ,  演算プロセッサ ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Schottky障壁 ,  変調 ,  CVD ,  トランジスタ ,  光刺激 ,  人工 ,  シナプス