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J-GLOBAL ID：202102231233504189   整理番号：21A0984732

DiracソースElectron注入を用いた記録-高サブ60mV/デカデ電流密度を有する単層MoS_2急傾斜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Monolayer MoS₂ Steep-slope Transistors with Record-high Sub-60-mV/decade Current Density Using Dirac-source Electron Injection

著者 (9件)： Liu Maomao (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Electrical Engineering,Buffalo,NY,USA) ,  Jaiswal Hemendra Nath (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Electrical Engineering,Buffalo,NY,USA) ,  Shahi Simran (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Electrical Engineering,Buffalo,NY,USA) ,  Wei Sichen (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Materials Design and Innovation,Buffalo,NY,USA) ,  Fu Yu (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Materials Design and Innovation,Buffalo,NY,USA) ,  Chang Chaoran (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Materials Design and Innovation,Buffalo,NY,USA) ,  Chakravarty Anindita (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Electrical Engineering,Buffalo,NY,USA) ,  Yao Fei (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Materials Design and Innovation,Buffalo,NY,USA) ,  Li Huamin (The State University of New York,University at Buffalo,Department of Electrical Engineering,Buffalo,NY,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 12.5.1-12.5.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2のような二次元(2D)半導体は次世代エネルギー効率の良いナノエレクトロニクスの有望な材料候補である。単層グラフェン(Gr)源が低温電子を単層MoS_2チャネルに注入する新しいDiracソース電子注入(DSEI)に基づく2D急勾配電界効果トランジスタ(FET)を初めて実証した。革新的な急峻なトランジスタ概念として,この原子-薄い2D DSEI-FETは,29mV/decadeの最小サブ閾値スイング(SS)を示し,より重要なことに,任意の最先端の2Dまたは3次元(3D)トンネルFET(TFET)または負容量FET(NCFET)と比較して,記録-高サブ-60mV/decade電流密度(1μA/μm以上)を示した。。”,”1μA/μm]の記録-高サブ-60mV/decadeの電流密度(1μA/μm以上)を示した。”その2D DSEI-FET”は,2Dまたは3次元(3D)トンネルFET(TFET)または負容量FET(NCFET)と比較して,記録-高サブ-60mV/decade電流密度(1μA/μm以上)を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  *電流密度 ,  二次元 ,  三次元 ,  単一層
準シソーラス用語： 電子注入 ,  ナノエレクトロニクス ,  単層グラフェン ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ソース ,  注入 ,  サブ ,  電流密度 ,  単層 ,  トランジスタ