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J-GLOBAL ID:202102232068677065   整理番号:21A0697424

原子層面内ヘテロ接合を用いた発光デバイス

Atomically thin lateral heterojunction light-emitting devices
著者 (13件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.10p-Z29-3  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)によるヘテロ構造は異なる電子構造を有する原子層を精密制御でき、新たな光物性・光機能の創出が期待できる。例えば、面直に積層したヘテロ構造では、層間励起子発光や閉じ込め効果による高効率な受光・発光デバイスが...【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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