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J-GLOBAL ID:202102233796825365   整理番号:21A2025256

シリカオンチップ構造で量子ドットにより最適化した量子ドット発光ダイオードの作動温度の低下【JST・京大機械翻訳】

Reduced Working Temperature of Quantum Dots-Light-Emitting Diodes Optimized by Quantum Dots at Silica-on-Chip Structure
著者 (7件):
資料名:
巻: 141  号:ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: T0929A  ISSN: 1043-7398  CODEN: JEPAE4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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青色LEDチップ,黄色蛍光体,および赤色量子ドット(QDs)から成る白色発光ダイオード(WLED)は,それらの高い発光効率(LE)と色レンダリング指数(CRI)を有する次世代人工光源の有望な代替として考えられ,一方,QDの貧弱な温度安定性およびQDs/シリコーンの不適合性は,QD-WLEDの広い利用を厳しく妨げる。これを緩和するために,ここでは,黄色蛍光体層を有するQSN-on-chip層から成る分離QD@シリカナノ粒子(QSNs)/蛍光体構造を提案した。シリカシェルをQDs表面に被覆し,QDとシリコーン間の相溶性問題を解決した。CRI>92およびR9>90で,新しく提案したQSNsベースのWLEDは,従来の混合型WLEDよりも16.7%高いLEおよびより低いQD作動温度を示した。80mA,200mAおよび300mAの駆動電流において,QDの温度の減少は,それぞれ,11.5°C,21.3°Cおよび30.3°Cに達することができた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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発光素子 
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