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J-GLOBAL ID:202102236179930764   整理番号:21A0612924

ナノスケール電圧センシング応用のための単一Electronボックスアレイの無線周波数反射測定【JST・京大機械翻訳】

Radio Frequency Reflectometry of Single-Electron Box Arrays for Nanoscale Voltage Sensing Applications
著者 (12件):
資料名:
巻: 10  号: 24  ページ: 8797  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7135A  ISSN: 2076-3417  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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単一電子トンネルトランジスタ(SETs)とボックス(SEB)は,前例のない電荷感度を達成するためにCoulomb遮断の現象を利用する。しかし,単一電子ボックスは,SETsと比較してその単純さにもかかわらず,実用化にはほとんど使用されていない。その主な理由は,ゲート電圧がソースとドレインの間のコンダクタンスを制御するSETと異なり,SEBは,高周波反射率測定(RFR)によって,統合SET増幅器またはその複雑なアドミタンスの高周波プロービングのいずれかを必要とする2端子デバイスである。SEBに対する信号雑音比(SNR)は小さく,SETに比べてはるかに低いアドミタンスのため,RFRセットアップへのSEBの効率的な結合のために整合ネットワークが必要である。N(ランダムオフセット電荷による)の因子によって信号強度を高めるために,SEBを並列に接続して共通ゲートとソースを共有するアレイを形成する。SEBのサイズが小さいほど,SEBの充電エネルギーは,より高い操作温度を可能にし,小さなフットプリント(<0.01m2)のデバイスを使用して,多数のデバイス(>1000)を,ほんの数平方ミクロンのアレイに組み立てることができる。感度の点でSETと競合するSEBアレイを設計することが可能であることを示した。これにおいて,同じ整合ネットワークに接続されたSEBと共に,経路(DC-デカップリングSETまたはDCD SET)を通してDCのない構成でRF反射率測定を用いてSETsを試験した。実験は,DC電流の経路の欠如がSEBとDCD SETsを高静電放電(ESD)耐性にし,応用の非常に望ましい特徴であることを示した。種々のサイズのSEBアレイに関する実験データの詳細な解析を行い,それをシミュレーションと比較し,SEBアレイとDCD SETsの実用化のためのいくつかの方法を考案した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 
引用文献 (32件):
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