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J-GLOBAL ID：202102237543666994   整理番号：21A0038609

ゾル-ゲル誘導LiドープNiOエピタキシャル薄膜における電気伝導率研究【JST・京大機械翻訳】

Electrical Conductivity Studies in Sol-Gel-Derived Li-Doped NiO Epitaxial Thin Films

著者 (2件)： Kokubun Yoshihiro (Department of Information Technology and Electronics, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi, 986-8580, Japan) ,  Nakagomi Shinji (Department of Information Technology and Electronics, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi, 986-8580, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 12  ページ： e2000330  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲルスピンコーティング法を用いて,MgO(100)基板上に成長した透明Liドープ酸化ニッケル(NiO)エピタキシャル薄膜の電気的性質を,二次イオン質量分析によって決定されたLi濃度に関して調べた。立方体-オン-キューブ関係を有する立方晶LiドープNiO膜のエピタキシャル成長をX線回折測定により確認した。電気伝導率は,Li濃度が0.028から7.5at%まで増加すると,超直線的に増加する。Liイオン間の平均距離に対する伝導率の温度依存性と活性化エネルギーの線形依存性は,伝導率がホッピング伝導フレームワーク内で説明できることを示唆した。しかし,Hall効果測定で観察された顕著なHall電圧はホッピングキャリアに加えて非ホッピングキャリアの存在を示唆する。伝導率のLi濃度依存性は,最近接Niサイト間の熱活性化ホッピングを通して小さなポーラロンが伝導する小さなポーラロンホッピングの広く用いられているモデルで十分に説明できなかった。代わりに,観察された依存性を,ポーラロン間アクセプタホッピングと非ホッピング伝導を組み合わせたモデルによって定量的に説明した。極性アクセプタ間ホッピング伝導は1at%以下のLi濃度に対して支配的であったが,非ホッピング伝導はより高いLi濃度に対して支配的であった。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  アクセプタ ,  イオン ,  *エピタクシー ,  *電気伝導率 ,  *薄膜 ,  ポーラロン ,  *リチウム ,  温度依存性 ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  ホッピング伝導 ,  *ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： 小さなポーラロン ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 伝導機構 ,  電気伝導率 ,  ホッピング伝導 ,  酸化ニッケル ,  ポーラロン

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  Li ,  ドープ ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  電気伝導率 ,  研究