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J-GLOBAL ID：202102238975536011   整理番号：21A0463198

負に帯電した酸素イオンの照射後のSnドープIn_2O_3膜のキャリア濃度とバンドギャップのエンジニアリングの調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring of carrier concentration and engineering of band gap for Sn-doped In₂O₃ films by postirradiation of negatively charged oxygen ions

著者 (6件)： Furubayashi Yutaka (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan) ,  Maehara Makoto (Industrial Equipment Division, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 5-2 Soubiraki-cho, Niihama 792-8588, Japan) ,  Kitami Hisashi (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan) ,  Kitami Hisashi (Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan) ,  Sakemi Toshiyuki (Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd, 19 Natsushimacho, Yokosuka 237-8555, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Tosayamadacho-Miyanokuchi, Kami 782-8502, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54  号： 14  ページ： 145110 (12pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負に荷電した酸素(O-)イオンに対する最先端のポスト照射技術は,直流アーク放電による反応性プラズマ蒸着により,ガラス基板上の多結晶50nm厚さのSnドープIn_2O_3(ITO)膜に対して,キャリア濃度(n_e),電気抵抗率(ρ),および光学バンドギャップ(E_g)を調整するのに有効であることを実証した。堆積したままのITO膜は9.2×1020cm-3のn_e,1.5×10-4Ωcmのρ及び3.50eVのE_gを示した。250°Cでの180分間のO-イオンの照射後はn_eを2.4×1018cm-3に減少させた。これは,Bixbyite結晶構造とSnドーパント原子の空間分布を保持しながら,ρが3.5×10-1Ωcmに著しく増加した。O-イオンの照射後は,3.50から3.02eVまでの範囲の光学E_gの連続的減少をもたらし,これは非ドープIn_2O_3のものより小さい。縮退ITO膜では,光学E_gの広がりと狭小化に関する従来の理論は実験結果を良く説明する。一方,非縮退ITO膜では,光学的E_g収縮は,構造空孔サイトを埋め込んだ格子間酸素原子と結合した格子無秩序により,最上位価電子帯内のO2pとIn4d軌道間の反結合π*状態の生成に起因する上向きエネルギーシフトによって主に引き起こされる。電子平均自由行程,Fermi運動量,およびそれらの積を利用したIoffe-Regel基準に基づいて,縮退ITO膜が非縮退のものに変態する臨界n_eを決定した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アーク放電 ,  結晶構造 ,  電気抵抗率 ,  *スズ ,  多結晶 ,  *ドーピング ,  臨界 ,  直流 ,  *キャリア密度 ,  価電子バンド ,  縮退 ,  ドーパント ,  光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  *酸素イオン

分類 (2件)： 無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 帯電 ,  酸素イオン ,  Sn ,  ドープ ,  キャリア濃度 ,  バンドギャップ ,  エンジニアリング