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J-GLOBAL ID：202102239612201987   整理番号：21A2225832

AlGaN/GaN HEMTのデバイス性能に対する裏面ドライエッチングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of backside dry etching on the device performance of AlGaN/GaN HEMTs

著者 (18件)： Ji Keyu (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Ji Keyu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Cui Xiao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Cui Xiao (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Chen Jiwei (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Chen Jiwei (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Guo Qi (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Guo Qi (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Jiang Bing (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Jiang Bing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Wang Bingjun (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Wang Bingjun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Sun Wenhong (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Hu Weiguo (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, Guangxi, 530004, People’s Republic of China) ,  Hu Weiguo (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Hu Weiguo (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, People’s Republic of China) ,  Hua Qilin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 101400, People’s Republic of China) ,  Hua Qilin (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 32  号： 35  ページ： 355203 (5pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ接合ベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高いキャリア濃度,高い電子移動度,大きな絶縁破壊電圧という顕著な利点を持ち,電力デバイスとして有望な可能性を示す。半導体製造で広く使われるので,ドライエッチングプロセスはバックサイドから微細構造と薄化基板を作製でき,フレキシブルデバイスの開発に適している。ここでは,AlGaN/GaN HEMTの物理的および電気的特性に及ぼすSi基板の背面ドライエッチングの影響を調べた。物理的特性を,走査電子顕微鏡,Ramanスペクトル,およびX線回折(XRD)によって特性評価した。ドライエッチングプロセスの後,GaN E_2モードのピーク赤方偏移は引張応力の増加を示し,GaN膜のXRDロッキングカーブはある程度転位密度を減少させることを示した。さらに,HEMTの最大飽和電流密度と最大相互コンダクタンスは,それぞれ21.1%と25.5%改善された。Si基板を薄くするためのバックサイドドライエッチングのアプローチは,GaNヘテロ接合ベースデバイスの最適化に寄与し,また,フレキシブルでロバストなパワーデバイスの開発に対するインスピレーションを提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  ヘテロ接合 ,  最適化 ,  走査電子顕微鏡 ,  転位密度 ,  キャリア密度 ,  引張応力 ,  *窒化ガリウム ,  ロッキングカーブ ,  *HEMT ,  *ドライエッチング ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  *AlGaN/GaN ,  フレキシブルデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ドライエッチング