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J-GLOBAL ID：202102239739069552   整理番号：21A0277779

パルスレーザ蒸着により作製したITO/p-Siヘテロ接合の光起電力特性【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic properties of ITO/p-Si heterojunction prepared by pulsed laser deposition

著者 (3件)： Ismail Raid A. (Department of Applied Science, University of Technology, Baghdad, Iraq) ,  Abdulrazzaq Omar A. (Renewable Energy an Environment Research Center, Ministry of Industry and Minerals, Iraq) ,  Ali Abdullah M. (College of Education for Pure Science, Tikrit University, Iraq)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 34  号： 32  ページ： 2050321  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,インジウムスズ酸化物(ITO)をパルスレーザ蒸着(PLD)技術を用いてサファイアおよび低抵抗p-Si基板上に堆積させた。サファイア基板上に蒸着したITOの光学エネルギーギャップは室温で3.7eVであった。ITOの光ルミネセンス(PL)は,524nmで広いピークの発光を示した。n-ITO/p-Siヘテロ接合の光起電力(PV)特性を調べ,変換効率[数式:原文を参照]1.8%を示した。この電池の開回路電圧[数式:原文を参照]は0.49Vであったが,短絡電流密度[数式:原文を参照]は17.4mA/cm2であった。この細胞のフィルファクタは22%であった。ITO/Siヘテロ接合の理想因子は,約3.1であった。ヘテロ接合の障壁高さ[数式:原文を参照]をI-V特性から決定し,0.83eVであった。ヘテロ接合の応答性を測定し,応答性の最大値はバイアス電圧なしで0.5A/Wであった。太陽の少数キャリア寿命を開回路電圧減衰(OCVD)法を用いて測定し,227μsであることを見出した。Copyright 2021 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  エネルギーギャップ ,  *光起電力 ,  太陽 ,  太陽電池 ,  光ルミネセンス ,  *ケイ素 ,  電流電圧特性 ,  サファイア ,  酸化インジウムスズ ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ITO ,  太陽光発電 ,  ヘテロ接合 ,  太陽電池 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  ITO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  光起電力