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J-GLOBAL ID：202102239976919131   整理番号：21A0233464

ブラックシリコンの電界効果不動態化の理解:圧縮空間電荷領域における電荷キャリアポピュレーション制御のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Understanding Field-Effect Passivation of Black Silicon: Modeling Charge Carrier Population Control in Compressed Space Charge Regions

著者 (8件)： Wang Shaozhou (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Wu Xinyuan (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Ma Fajun (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Zhang Yu (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Scardera Giuseppe (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Payne David (Macquarie University,Sydney,Australia) ,  Abbott Malcolm (University of New South Wales,Sydney,Australia) ,  Hoex Bram (University of New South Wales,Sydney,Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 0590-0594  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： かなりの量の文献は,ドーパントプロファイルまたは荷電誘電体のいずれかを用いて,電荷キャリア集団制御による表面不動態化の有効性を明らかにした。ほとんどの研究は,基板厚さが空間電荷領域よりはるかに大きいと仮定する。しかし,この仮定は,黒色シリコンのようなナノ構造表面に対して保持されない。本研究では,一次元モデリングを用いて,誘電体固定電荷Q_fによる電荷キャリアポピュレーション制御に及ぼすナノ特徴の影響を理解した。Q_fがλ>1×1011cm-2より小さいとき,2表面距離の減少は空間電荷領域を効果的に圧縮し,表面キャリア非対称性を強化し,これは表面不動態化のための電荷キャリア集団制御の強化と考えられる。それにもかかわらず,Q_fの大きさがλ>1×1011cm-2より大きいとき,鏡面電荷は表面近傍領域で濃縮する傾向があり,空間電荷領域圧縮は有効でない。これは,電荷担体のポピュレーション制御への影響を低減し,その結果,表面不動態化をほとんど増強しなかった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電荷 ,  *電場効果 ,  誘電体 ,  *不動態化 ,  非対称性 ,  一次元 ,  *空乏層 ,  有効性 ,  ドーパント ,  ナノ構造
準シソーラス用語： 固定電荷 ,  *電荷キャリア ,  表面不動態化 ,  *ブラックシリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ブラックシリコン ,  電界効果 ,  不動態化 ,  理解 ,  空間電荷領域 ,  電荷キャリア ,  モデリング