文献

J-GLOBAL ID：202102240901277767   整理番号：21A0228483

並列接続SiC MOSFETの電流共有に及ぼすデバイスパラメータ変動の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Device Parameter Variability on Current Sharing of Parallel-Connected SiC MOSFETs

著者 (6件)： Nakamura Yohei (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585) ,  Kuroda Naotaka (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585) ,  Yamaguchi Atsushi (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585) ,  Nakahara Ken (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd.,Kyoto,Japan,615-8585) ,  Shintani Michihiro (Nara Institute of Science and Technology,Graduate School of Science and Technology,Nara,Japan,630-0192) ,  Sato Takashi (Kyoto University,Graduate School of Informatics,Kyoto,Japan,606-8501)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ATS  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,並列に接続した炭化ケイ素(SiC)金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)間の電流共有に及ぼすデバイスパラメータ変動の影響を,モンテカルロシミュレーションによって研究した。表面電位ベースSiC MOSFETモデルを用いて表現されるスイッチング回路における誘導負荷を駆動する並列MOSFETを解析した。シミュレーション結果から,SiC MOSFET電流の不整合に影響する支配的なデバイスパラメータを同定した。また,エネルギー損失不均衡に対する電流不整合の影響を評価した。本解析では,フラットバンド電圧,チャネル長変調,および電流利得因子に関連するモデルパラメータが特に重要であることが分かった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  シミュレーション ,  *電流 ,  半導体 ,  酸化物 ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  *並列接続 ,  スイッチ回路
準シソーラス用語： *パラメータ変動 ,  モンテカルロシミュレーション ,  フラットバンド電圧 ,  チャネル長 ,  電流利得 ,  モデルパラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 並列接続 ,  SiC ,  MOSFET ,  共有 ,  パラメータ変動