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J-GLOBAL ID：202102242084491938   整理番号：21A3314630

単層MoSi_2N_4の電子および光学特性の歪変調【JST・京大機械翻訳】

Strain modulation of electronic and optical properties of monolayer MoSi₂N₄

著者 (7件)： Lv Xiurui (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Xu Yan (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Mao Bangyao (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Liu Guipeng (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Liu Guipeng (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Zhao Guijuan (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Yang Jianhong (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 135  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪工学は材料の電子的および光学的特性を調節する重要なアプローチである。最近,新しい二次元材料単層MoSi_2N_4が,優れた電子性能で成功裏に合成された。面内歪有無の単層MoSi_2N_4の電子特性を第一原理計算によって系統的に調査した。計算結果は,単層MoSi_2N_4がバンドギャップ1.74eV(PBE)と2.31eV(HSE06)を有する間接バンドギャップ半導体であるが,3%と4%の二軸圧縮歪のようなある面内歪の下で直接バンドギャップに変換できることを明らかにした。面内歪は,バンド構造,バンドギャップおよびキャリア有効質量を効果的に調節することができた。さらに,非歪の光学的性質と直接バンドギャップ状態に変換した。単層MoSi_2N_4の光吸収容量は紫外バンドで強く,直接バンドギャップに変わると変化した。電気的および光学的特性は歪工学により変調でき,歪変調光電子素子の有望な候補である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  バンド構造 ,  半導体 ,  有効質量 ,  二軸 ,  単一層 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  第一原理計算 ,  面内歪 ,  電子物性 ,  光電子デバイス ,  間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 第一原理計算 ,  MoSi_2N_4 ,  歪 ,  電子物性 ,  PHS ,  光学特性

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  電子 ,  光学特性 ,  歪 ,  変調