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J-GLOBAL ID:202102242415614070   整理番号:21A1050111

Al_2O_3/Siの界面性質を改善するための湿式化学酸化と表面キャリア寿命シミュレーションと容量-電圧測定を用いたAl_2O_3/SiO_x/Si構造の界面解析【JST・京大機械翻訳】

Wet Chemical Oxidation to Improve Interfacial Properties of Al2O3/Si and Interface Analysis of Al2O3/SiOx/Si Structure Using Surface Carrier Lifetime Simulation and Capacitance-Voltage Measurement
著者 (13件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 1803  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7016A  ISSN: 1996-1073  CODEN: ENERGA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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Al_2O_3/Si界面で形成された薄い酸化ケイ素(SiO_x)層(厚さ:1.52.0nm)は界面特性を高めることができる。しかしながら,SiO_xがSi基板上にAl_2O_3堆積中に自然に形成されるので,薄いSiO_x層の特性を制御することは挑戦的である。本研究では,不動態化特性を改善するために,湿式化学酸化によってAl_2O_3とSi基板の間に,θ_1.5nm厚さのSiO_x層を挿入した。湿式化学酸化に用いる酸性溶液は,HCl:H_2O_2:H_2O,H_2SO_4:H_2O_2:H_2OおよびHNO_3であった。酸性溶液中で形成されたSiO_x層の厚さは,SiO_x-HCl,SiO_x-H_2SO_4,およびSiO_x-HNO_3に対して,それぞれ,Δλ_1.48,Δσ_1.32,およびΔσ_1.50nmであった。SiO_x-HNO_3の漏れ電流特性は,他の酸性溶液中で形成された酸化物層のものより良かった。SiO_x-酸性/Si構造上にθ_x10nm厚Al_2O_3を堆積後,準定常状態光コンダクタンスを用いて有効キャリア寿命を測定し,表面キャリア寿命シミュレーションと静電容量電圧測定を用いてAl_2O_3/SiO_x-酸性/Siの界面特性を調べた。Al_2O_3/SiO_x-HNO_3/Siの有効キャリア寿命は,比較的低い表面欠陥密度(2.352.881010cm2eV_1)から,比較的高かった(λ≧400s)。湿式化学酸化によってAl_2O_3とSi基板の間に挿入された酸化物層は,Al_2O_3/Si界面特性を改善するのに役立った。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  酸化物薄膜 
引用文献 (40件):
  • King, R.R.; Sinton, R.A. Studies of diffused phosphorus emitters: Saturation current, surface recombination velocity, and quantum efficiency. IEEE Trans. Electron. Dev. 1990, 37, 365-371.
  • Cuevas, A.; Basore, P.A.; Giroult-Matlakowski, G.; Dubois, C. Surface recombination velocity of highly doped n-type silicon. J. Appl. Phys. 1996, 80, 3370-3375.
  • Blakers, A.W.; Wang, A.; Milne, A.M.; Zhao, J.; Green, M.A. 22.8% efficient silicon solar cell. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 1363-1365.
  • Sterk, S.; Glunz, S.W.; Knobloch, J.; Wettling, W. High efficiency (>22%) Si-solar cells with optimized emitter. In Proceedings of the IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, HI, USA, 5-9 December 1994.
  • Zhang, S.; Yao, Y.; Hu, D.; Lian, W.; Qian, H.; Jie, J.; Wei, Q.; Ni, Z.; Zhang, X.; Xie, L. Application of silicon oxide on high efficiency monocrystalline silicon PERC solar cells. Energies 2019, 12, 1168.
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