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J-GLOBAL ID：202102242566490393   整理番号：21A0992531

異なるアニーリング温度でのDPN処理下の28nmノード高Kゲート誘電体のQ因子性能【JST・京大機械翻訳】

Q-Factor Performance of 28 nm-Node High-K Gate Dielectric under DPN Treatment at Different Annealing Temperatures

著者 (7件)： Chen Chii-Wen (Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Wang Shea-Jue (Department of Materials and Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei 10608, Taiwan) ,  Hsieh Wen-Ching (Department of Electro-Optical Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Chen Jian-Ming (Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Jong Te (Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan) ,  Lan Wen-How (Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, Taiwan) ,  Wang Mu-Chun (Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
資料名： Electronics (Web)  (Electronics (Web))
巻： 9  号： 12  ページ： 2086  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7178A  ISSN： 2079-9292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Q因子は,それらのエネルギーまたは電荷貯蔵能力に関して,回路またはデバイスの健全性を研究する合理的指数である。この性能指数を用いて,固定窒素濃度による異なる温度でのデカップリングプラズマ窒化によるナノノード高kゲート誘電体の堆積品質を調べた。これは高周波応用において非常に重要である。Q因子の観点から,より高いアニーリング温度で処理したデバイスは,より良いQ値値を明確に示した。もう一つの興味深い観察は,Q-VGS特性における2つのトラフの出現であり,それは,直列寄生容量,トンネル効果,または両方に強く関連する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  焼なまし ,  帯電 ,  トンネル効果 ,  窒化 ,  HF【周波数】 ,  性能指数 ,  デカップリング ,  *Q値 ,  漂遊容量 ,  イオン窒化 ,  健全性 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *アニーリング温度 ,  窒素濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Q因子 ,  高k ,  窒化 ,  プラズマ ,  アニール ,  漏れ ,  ナノノード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (39件)：

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• Russell, S.; Norvig, P. Artificial Intelligence: A Modern Approach, 4th ed.; Prentice Hall: New Jersey, NJ, USA, 2020; pp. 1-100.
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• Zheng, P.; Ni, L.M. Smart Phone and Next Generation Mobile Computing, 1st ed.; Elsevier: London, UK, 2006; pp. 1-97.
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タイトルに関連する用語 (4件)： アニーリング温度 ,  ノード ,  ゲート誘電体 ,  Q因子