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J-GLOBAL ID：202102242997121047   整理番号：21A0984281

二重SOIによる光電子その場センシングデバイス(PISD)におけるクロストークの抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppressing crosstalk in the photoelectron in-situ sensing device (PISD) by double SOI

著者 (8件)： Arsalan M. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering Fudan University,Shanghai,China) ,  Jian Liu (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering Fudan University,Shanghai,China) ,  Zaslavsky A. (Brown University Providence,Department of Physics School of Engineering,RI,USA,02912) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec,Grenoble,France,38016) ,  Zhang X. (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100029) ,  Liu FY. (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100029) ,  Li B. (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing,China,100029) ,  Wan J. (State key lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering Fudan University,Shanghai,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオンインシュレータ(SOI)光検出器に関する以前の研究で,SOI基板における深い空乏効果を用いて光電子インサイチュセンシングデバイス(PISD)を構築した。PISDは,従来のCMOSセンサよりコンパクトな1トランジスタアクティブピクセルセンサ(1T-Aps)である。本研究では,従来のSOI基板において厳しいPISDにおける異なる画素間のクロストークを研究した。TCADシミュレーションを通して,二重SOI(DSOI)基板の使用はPISDピクセル間のクロストークを抑制することを示した。余分な埋め込み酸化物層は,基板を隣接セルを横切る電荷の移動を遮蔽する2つの部分に完全に分離する。トップSi厚さと埋込み酸化物厚さの影響を観察した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  光検出器 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  画素 ,  検出器 ,  酸化層 ,  *光電子 ,  *クロストーク
準シソーラス用語： TCAD ,  CMOSセンサ ,  SOI基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  光電子 ,  センシングデバイス ,  クロストーク