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J-GLOBAL ID：202102243326643608   整理番号：21A0696559

GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響

Influence of above-gap excitation on up-conversion luminescence of GaPN alloys

著者 (4件)： 相良鋼 (埼玉大 大学院) ,  高宮健吾 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z01-3  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】希釈窒化物半導体であるGaPN混晶は,実験・理論[1]から中間バンドの形成が報告されていることから,中間バンド型太陽電池への応用が考えられている半導体材料の一つである。その一方で,GaPN混晶では,バンドテイルを中間状態とした二...【本文一部表示】

シソーラス用語： *固溶体 ,  太陽電池 ,  *発光 ,  半導体レーザ ,  光吸収 ,  光ルミネセンス ,  *励起 ,  *周波数逓倍 ,  半導体材料 ,  *リン化ガリウム ,  波長 ,  MOCVD
準シソーラス用語： *バンドギャップエネルギー ,  励起強度 ,  中間バンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 混晶 ,  アップコンバージョン ,  バンドギャップエネルギー ,  励起光