文献

J-GLOBAL ID：202102245177608571   整理番号：21A2588555

半導体ブリッジ(SCB)プラズマの特性研究【JST・京大機械翻訳】

Research of the Characteristics of Semiconductor Bridge (SCB) Plasma

著者 (4件)： Wang Renbao (Hefei University, School of Advanced Manufacturing Engineering, Hefei 230601, China) ,  Zhu Shunguan (Nanjing University of Science and Technology, School of Chemical Engineering, Nanjng 210094, China) ,  Sun Qiang (Hefei University, School of Advanced Manufacturing Engineering, Hefei 230601, China) ,  Xu Zhenfeng (Hefei University, School of Advanced Manufacturing Engineering, Hefei 230601, China)
資料名： Fusion Science and Technology  (Fusion Science and Technology)
巻： 77  号： 6  ページ： 463-468  発行年： 2021年 
JST資料番号： A0310B  ISSN： 1536-1055  CODEN： FUSTE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる焼成条件下での半導体ブリッジ(SCB)放電挙動のより良い理解は,SCB着火技術の機構を明らかにするために重要である。本論文では,SCBプラズマの開始時間,継続時間,温度,電子密度を含む基本パラメータに関する試験を行った。より簡単で経済的なシステムを使用して,異なる入力エネルギー条件の下でSCBプラズマの特性を論じた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  電子密度 ,  *半導体 ,  放電 ,  原子発光分析 ,  継続時間

著者キーワード (4件)： SCBプラズマ ,  電子密度 ,  温度 ,  原子発光分光法

分類 (2件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  プラズマ生成・加熱  (BJ02060E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ブリッジ ,  プラズマ ,  研究