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J-GLOBAL ID：202102245629992666   整理番号：21A0984267

擬似MOSFET法の電気特性に及ぼす島端の影響の再検討【JST・京大機械翻訳】

Revisiting an influence of island edges on electrical characteristics of pseudo-MOSFET method

著者 (2件)： Mori Daigo (Faculty of Engineering Science, Kansai University,Osaka,Japan) ,  Sato Shingo (Faculty of Engineering Science, Kansai University,Osaka,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬似MOSFET法の電気特性に対する島端の影響をKelvin擬似MOSFET法を用いて再考した。チャネル抵抗,キャリア移動度などの電気的パラメータを正確に抽出するために,二重配置Kelvin擬似MOSFET法の使用の必要性を明らかにし,複雑な解析モデルを使わない。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *MOSFET ,  *電気特性 ,  解析モデル
準シソーラス用語： チャネル抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 擬似 ,  MOSFET ,  電気特性 ,  島